Module thí nghiệm khuếch đại công suất transistor 2 - TPAD.Q0812
Model: TPAD.Q0812
Xuất xứ: Việt Nam
Module được thiết kế và lắp ráp theo Hệ thống Quản lý Chất lượng ISO 9001:2015.
Đạt chuẩn TCVN 5699-1:2010 và IEC 60335-1 :2010 về chỉ tiêu công suất, dòng rò, cao áp.
Thông số kỹ thuật:
- Kích thước hộp: 169x173x25mm (DxRxC)
- Đặc tính kĩ thuật:
+ Nguồn cấp: 12VAC, 0 ~ +15VDC
+ Giắc cắm tín hiệu M2
+ Máy biến áp cách ly:
Điện áp vào: 12VAC
Điện áp ra: đối xứng 6VAC
Dòng điện ra: 0.2A.
Nội dung thực hành:
+ Tìm hiểu nguyên lý mạch COMPLEMENTARY POWER AMPLIFIER
+ Thực hành với mạch COMPLEMENTARY POWER AMPLIFIER:
Hoạt động AC trong mạch khuếch đại bù công suất
Hoạt động DC trong mạch khuếch đại bù công suất
Tăng công suất và điện áp trong mạch khuếch đại bù công suất
+ Tìm hiểu nguyên lý mạch SINGLE-ENDED POWER AMPLIFIER
+ Thực hành với mạch SINGLE-ENDED POWER AMPLIFIER:
Hoạt động AC trong mạch khuếch đại công không đối xứng
Hoạt động DC trong mạch khuếch đại công suất không đối xứng
Tăng công suất và điện áp trong mạch khuếch đại không đối xứng
+ Tìm hiểu nguyên lý mạch PHASE SPLITTER
+ Thực hành với mạch PHASE SPLITTER:
Hoạt động DC trong mạch tách pha
Mối quan hệ tín hiệu pha vào/ra và tăng điện áp
+ Cơ bản về xử lý sự cố và khắc phục sự cố trong mạch.
Công ty chúng tôi cam kết sẽ cung cấp Module thí nghiệm khuếch đại công suất transistor 2 - TPAD.Q0812 đúng mặt hàng đúng mã sản phẩm, hình ảnh chất lượng nhất cho khách hàng thân yêu!